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TGG 晶体

TGG,用于 400nm-1100nm 范围内的各种种子拉件 (转子和分离器),不包含 475-500nm。

TGG 晶体加工指标

取向

[111],± 15 ′

波前畸变:

< L/8           

消光比:

> 30dB

直径公差:

+ 0.00 毫米/-0.05 毫米

长度公差:

+ 0.2 毫米/-0.2 毫米

倒角:

< 0.15 毫米 @ 45 &#176;           

面型:

< L/10 在 633nm           

平行度:

< 30 "          

垂直度:

< 5'           

表面质量 (划破/尺寸):

10-5

AR 镀膜:

AR @ 1064nm R <0.2%           

创恒光电晶体生产线

.服务 01

磨削

.服务 01

抛光

.服务 01

抛光

.服务 01

镀膜

.服务 01

分光光度计

.服务 01

检查

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